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參數資料
| 型號： | CXK77910ATM |
| 廠商： | Sony Corporation |
| 英文描述： | 131,072-Word by 9-Bit High-Speed Synchronous Static RAM(131072字 × 9位高速同步靜態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 131,072由9位字高速同步靜態(tài)存儲器（131072字× 9位高速同步靜態(tài)內存） |
| 文件頁數： | 2/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 187K |
| 代理商： | CXK77910ATM |
–2–
CXK77910ATM/AYM
Pin Configurations
(Top View)
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NC
A16
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A13
CE
V
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I/O8
I/O7
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V
CC
V
SS
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I/O6
I/O5
V
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WE
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NC
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OE
V
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I/O0
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I/O2
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SSQ
V
SS
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CC
V
CCQ
I/O3
I/O4
V
SSQ
CLK
A4
A5
A6
A7
A8
CXK77910ATM
Pin Description (1)
A0 to A16
I/O0 to I/O8
CLK
CE
WE
OE
V
CCQ
V
CC
V
SS
/V
SSQ
Address input
Data input/output
Clock
Chip enable input
Write enable input
Output enable input
Output power supply
+5V power supply
Ground
Symbol
Description
Block Diagram
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NC
A16
A15
A14
A13
CE
V
SSQ
I/O8
I/O7
V
CCQ
V
CC
V
SS
V
SSQ
I/O6
I/O5
V
CCQ
WE
A12
A11
A10
A9
NC
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A2
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OE
V
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I/O0
I/O1
I/O2
V
SSQ
V
SS
V
CC
V
CCQ
I/O3
I/O4
V
SSQ
CLK
A4
A5
A6
A7
A8
CXK77910AYM
CLK
CE WE OE
CLK
Register
Register
Self-Timed
Write Logic
128K x 9 RAM
Decoder
Register
CLK
A0
A16
Sense Amp
Register
CLK
R
C
I/O8
I/O0
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CXK77B1841AGB | 4Mb Late Write LVTTL High Speed Synchronous SRAM (128K x 36Bit)(4M位、寫延遲、LVTTL高速同步靜態(tài)RAM (128K x 36位)) |
| CXK77B3641AGB | 4Mb Late Write LVTTL High Speed Synchronous SRAMs (128K x 36Bit)(4M位、寫延遲、高速邏輯收發(fā)（HSTL）、高速同步靜態(tài)RAM (128K x 36位)) |
| CXK77B1841GB | 4Mb Late Write LVTTL High Speed Synchronous SRAM (256K x 18Bit)(4M位、寫延遲、LVTTL高速同步靜態(tài)RAM (256K x 18位)) |
| CXK77B3611AGB- | High Speed Bi-CMOS Synchronous Static RAM |
| CXK77B3611AGB-5 | High Speed Bi-CMOS Synchronous Static RAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| CXK77910ATM-17 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x9 Synchronous SRAM |
| CXK77910AYM-17 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x9 Synchronous SRAM |
| CXK77920TM-11 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x9 Synchronous SRAM |
| CXK77920TM-12 | 制造商:Sony Batteries 功能描述: 制造商:Sony Batteries 功能描述:256K X 9 STANDARD SRAM, 6.5 ns, PDSO44 |
| CXK77920TM-15 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x9 Synchronous SRAM |
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