參數(shù)資料
型號(hào)： CNB1001
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 光電傳感器
英文描述： Reflective Photosensors
中文描述： POSITION, LINEAR SENSOR-DIFFUSE, 1mm, 0.023-0.16mA, RECTANGULAR, SURFACE MOUNT
封裝： 2.70 X 3.40 MM, 1.50 MM HEIGHT, ULTRAMINIATURE, PLASTIC, SMD-4
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大?。?/td> 50K
代理商： CNB1001
1
Electrical Characteristics
(Ta = 25C)
Parameter
Forward voltage (DC)
characteristics
Reverse current (DC)
Symbol
V
F
I
R
I
CEO
I
C*1
I
D
Conditions
min
typ
1.2
max
1.4
10
100
160
100
0.4
Unit
V
μ
A
nA
μ
A
nA
V
Input
I
F
= 20mA
V
R
= 3V
V
CE
= 20V
V
CC
= 2V, I
F
= 4mA. R
L
= 100
, d
= 1mm
V
CC
= 2V, I
F
= 4mA, R
L
= 100
Output characteristics
Collector cutoff current
Collector current
Leakage current
23
Transfer
characteristics
Collector to emitter saturation voltage
V
CE(sat)
I
F
= 20mA, I
C
= 0.1mA
Response time
t
r*2
t
f*2
V
CC
= 5V, I
C
= 0.1mA,
R
L
= 1000
30
40
μ
s
*1
Output Current (IC) measurement
*2
Response time measurement
method (see figure below.) circuit (see figure below.)
Reflective Photosensors (Photo Reflectors)
CNB1001, CNB1002
Reflective Photosensors
Input and output are handled electrically.
This product is not designed to withstand radiation.
Chip
center
C0.5
3.4
1.8
1
3
2
4
4-0.5
4
±
0
2
0
0.05
+0.1
0.15
1.5
0.85
4-0.7
Unit : mm
1: Emitter 3: Anode
2: Collector 4: Cathode
1: Anode 3: Emitter
2: Cathode 4: Collector
Pin connection
CNB1001
1
4
3
2
Pin connection
CNB1002
3
2
1
4
(Note) Tolerance unless otherwise specified is
±
0.2
V
CC
R
L
I
F
I
C
d = 1mm
Evaporated Al
Glass plate
R
L
50
V
CC
d = 1mm
Evaporated Al
Glass plate
Sig.IN
Sig.
OUT
10%
90%
t
r
t
f
t
r
: Rise time
t
f
: Fall time
Sig.OUT
Sig.IN
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25C)
Parameter
Reverse voltage (DC)
Forward current (DC)
Power dissipation
Collector current
Symbol
Ratings
V
R
I
F
P
D*1
I
C
V
CEO
V
ECO
P
C*2
T
opr
–25 to +85
T
stg
– 40 to +100
Unit
V
mA
mW
mA
V
V
mW
C
C
Input (Light
emitting diode)
6
50
75
20
35
6
75
Output (Photo
Collector to emitter voltage
transistor)
Emitter to collector voltage
Collector power dissipation
Operating ambient temperature
Storage temperature
Temperature
Features
Reflow-compatible reflective photosensor
Ultraminiature, thin type : 2.7
×
3.4 mm (height : 1.5 mm)
Visible light cutoff resin is used
Overview
CNB1001 and CNB1002 are a small, thin SMD-compatible
reflective photosensor consisting of a high efficiency GaAs infrared
light emitting diode which is integrated with a high sensitivity Si
phototransistor in a single resin package.
Color indication of classifications
Class
I
C
(
μ
A)
Color
Q
23 to 50
Orange
R
41 to 90
White
S
74 to 160
Light blue
*1
Input power derating ratio is
1.0 mW/C at Ta
≥
25C.
*2
Output power derating ratio is
1.0 mW/C at Ta
≥
25C.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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CNB1009 Reflective Photosensor
CNB1011P Reflective photosensor
CNB1301 Reflective Photosensor
CNB1302 Reflective Photosensor
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參數(shù)描述
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