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參數(shù)資料
| 型號： | CNB1011P |
| 廠商： | Panasonic Corporation |
| 英文描述： | Reflective photosensor |
| 中文描述： | 反射光傳感器 |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 95K |
| 代理商： | CNB1011P |
Reflective Photosensors (Photo Reflectors)
CNB1011
Reflective photosensor
1
Publication date: April 2004
SHG00056BED
Non-contact point SW, object sensing
■
Features
Ultraminiature, thin type: 2.29 mm
×
2.9 mm (height: 0.88 mm)
■
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
Unit: mm
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Input (Light
Reverse voltage
V
R
I
F
P
D
V
CEO
6
V
emitting diode) Forward current
Power dissipation
*1
30
mA
75
mW
Output (Photo Collector-emitter voltage
transistor)
(Base open)
35
V
Emitter-collector voltage
(Base open)
V
ECO
6
V
Collector current
Collector power dissipation
*2
I
C
P
C
T
opr
20
mA
75
mW
Temperature
Operating ambient temperature
25 to
+
85
40 to
+
100
°
C
°
C
Storage temperature
T
stg
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Input
Forward voltage
V
F
I
R
I
CEO
I
F
=
4 mA
V
R
=
3 V
V
CE
=
20 V
1.15
1.30
V
characteristics
Reverse current
10
μ
A
nA
Output
characteristics
(Base open)
Collector current
*1
Collector-emitter cutoff current
100
Transfer
I
C
V
CE
=
2 V, I
F
=
4 mA, d
=
1 mm
V
CE
=
2 V, I
F
=
4 mA
I
F
=
20 mA, I
C
=
0.1 mA
V
CC
=
2 V, I
C
=
0.1 mA
R
L
=
1
000
40
243
μ
A
characteristics
Dark current
I
D
100
nA
Collector-emitter saturation voltage
V
CE(sat)
Rise time
*2
Fall time
*2
0.4
V
t
r
40
μ
s
μ
s
t
f
50
■
Electrical-Optical Characteristics
T
a
=
25
°
C
±
3
°
C
Note) 1. Input and output are handled electrically.
2. This product is not designed to withstand radiation
3.*1: Output current measurement method
*2: Switching time measurement circuit
V
CC
R
L
I
F
I
C
d
=
1 mm
evaporated Al
Glass plate
R
L
50
V
CC
d
=
1 mm
evaporated Al
Glass plate
Sig. in
Sig.
out
10%
90%
t
r
t
f
t
r
: Rise time
t
f
: Fall time
Sig. in
Sig. out
1: Anode
2: Cathode
3: Emitter
4: Collector
PRSMW104-002 Package
1
4
C0.3
2.9
±0.1
1.285
0.577
0.748
1.325
1.7
1.45
4-0.5
1.4
0.7
2
3
0
±
2.29
±0.1
0
±
5.69
±0.3
0.75 max.
0.75 max.
1.7
Note)*1: Input power derating ratio is 1.0 mW/
°
C at T
a
≥
25
°
C.
*2: Output power derating ratio is 1.0 mW/
°
C at T
a
≥
25
°
C.
(Note) Tolerance unless otherwise specified is
±
0.2
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PDF描述 |
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