參數(shù)資料
型號： CNB1302
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 光電傳感器
英文描述： Reflective Photosensor
中文描述： POSITION, LINEAR SENSOR-DIFFUSE, 1-1mm, 0.09-0.88mA, RECTANGULAR, THROUGH HOLE MOUNT
封裝： 2.70 X 3.40 MM, 1.50 MM HEIGHT, ULTRAMINIATURE, ROHS COMPLIANT PACKAGE , 4 PIN
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大?。?/td> 49K
代理商： CNB1302
1
Reflective Photosensors (Photo Reflectors)
CNB1302
Reflective Photosensor
Features
Ultraminiature, thin type : 2.7
×
3.4 mm (height : 1.5 mm)
Visible light cutoff resin is used
Fast response : t
r
, t
f
= 20
μ
s (typ.)
Easy interface for control circuit
*1
Input power derating ratio is
1.0 mW/C at Ta
≥
25C.
*2
Output power derating ratio is
0.67 mW/C at Ta
≥
25C.
*2
Output current measurement method
2
±
0
4
2
±
0
Mark for indicating
anode side
C0.5
1
3.4
±
0.3
0
2
±
0
9
±
1
9
±
1
Chip
center
1.8
2
3
40.1
±
4-0.7
0.5
0.15
Pin connection
Unit : mm
1
±
0
1
4
3
2
V
CC
R
L
I
F
I
C
Evaporated Al
Glass plate
(t = 1mm)
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25C)
Parameter
Reverse voltage (DC)
Forward current (DC)
Power dissipation
Collector current
Symbol
Ratings
V
R
I
F
P
D*1
I
C
V
CEO
V
ECO
P
C*2
T
opr
–25 to +85
T
stg
–30 to +100
Unit
V
mA
mW
mA
V
V
mW
C
C
Input (Light
emitting diode)
3
50
75
20
30
5
50
Output (Photo
Collector to emitter voltage
transistor)
Emitter to collector voltage
Collector power dissipation
Operating ambient temperature
Storage temperature
Temperature
Electrical Characteristics
(Ta = 25C)
Paramwter
Forward voltage (DC)
Reverse current (DC)
Capacitance between terminals
Symbol
V
F
I
R
C
t
I
CEO
I
C*1, *2
I
D
t
r*3
, t
f*4
V
CC
= 5V, I
C
= 0.1mA, R
L
= 100
Conditions
min
typ
1.3
0.01
30
max
1.5
10
Unit
V
μ
A
pF
nA
μ
A
nA
μ
s
V
Input
characteristics
I
F
= 50mA
V
R
= 3V
V
R
= 0V, f
= 1MHz
V
CE
= 10V
V
CC
= 5V, I
F
= 10mA, R
L
= 100
, d
= 1mm
V
CC
= 5V, I
F
= 10mA, R
L
= 100
Output characteristics
Collector cutoff current
Collector current
Leakage current
characteristics
Response time
200
880
200
90
Transfer
20
Collector to emitter saturation voltage
V
CE(sat)
I
F
= 20mA, I
C
= 0.1mA
0.4
Overview
CNB1302 is a small, thin reflective photosensor consisting of a
high efficiency GaAs infrared light emitting diode which is integrated
with a high sensitivity Si phototransistor in a single resin package.
Applications
Control of motor and other rotary units
Detection of position and edge
Detection of paper, film and cloth
Start, end mark detection of magnetic tape
*3
Time required for the output current to increase from 10% to 90% of its final value
*4
Time required for the output current to decrease from 90% to 10% of its initial value
*1
I
C
classifications
Class
Q
R
S
I
C
(
μ
A)
90 to 220
180 to 440
360 to 880
相關PDF資料
PDF描述
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CNB2001 Reflective Photosensor
CNB2003 Reflective photosensor
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相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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CNB13020R 功能描述:SENSOR OPTO TRANS 1MM REFL AXIAL RoHS:是 類別:傳感器，轉(zhuǎn)換器 >> 光學 - 反射式 - 模擬輸出 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 03/Dec/2009 標準包裝:50 系列:- 檢測距離:0.157" (4mm) 檢測方法:反射 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:- 電流 - DC 正向(If):50mA 輸出類型:光電晶體管 響應時間:10µs，50µs 安裝類型:通孔 封裝/外殼:PCB 安裝 包裝:散裝 工作溫度:-40°C ~ 85°C
CNB13020R0LF 功能描述:SENSOR OPTO TRANS 1MM REFL PCB RoHS:是 類別:傳感器，轉(zhuǎn)換器 >> 光學 - 反射式 - 模擬輸出 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 03/Dec/2009 標準包裝:50 系列:- 檢測距離:0.157" (4mm) 檢測方法:反射 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:- 電流 - DC 正向(If):50mA 輸出類型:光電晶體管 響應時間:10µs，50µs 安裝類型:通孔 封裝/外殼:PCB 安裝 包裝:散裝 工作溫度:-40°C ~ 85°C
CNB13020S 功能描述:SENSOR OPTO TRANS 1MM REFL AXIAL RoHS:是 類別:傳感器，轉(zhuǎn)換器 >> 光學 - 反射式 - 模擬輸出 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 03/Dec/2009 標準包裝:50 系列:- 檢測距離:0.157" (4mm) 檢測方法:反射 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:- 電流 - DC 正向(If):50mA 輸出類型:光電晶體管 響應時間:10µs，50µs 安裝類型:通孔 封裝/外殼:PCB 安裝 包裝:散裝 工作溫度:-40°C ~ 85°C
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