參數(shù)資料
型號： CNB2001
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 光電傳感器
英文描述： Reflective Photosensor
中文描述： POSITION, LINEAR SENSOR-DIFFUSE, 1-1mm, 0.52-15mA, RECTANGULAR, SURFACE MOUNT
封裝： 2.70 X 3.40 MM, 1.50 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, ULTRAMINIATURE, 4 PIN
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大?。?/td> 53K
代理商： CNB2001
1
CNB2001
Reflective Photosensor
Features
Reflow-compatible reflective photosensor
Ultraminiature, thin type : 2.7
×
3.4 mm (height : 1.5 mm)
Visible light cutoff resin is used
High current-transfer ratio
Input and output are handled electrically.
This product is not designed to withstand radiation.
Reflective Photosensors (Photo Reflectors)
3.4
1.8
1
3
2
4
4-0.5
4
±
0
2
0
0.05
+0.1
0.15
1.5
0.85
4-0.7
Unit : mm
Pin connection
Chip
center
C0.5
1: Anode
2: Cathode
3: Emitter
4: Collector
Color of rank
1
4
3
2
(Note) Tolerance unless otherwise specified is
±
0.2
I
F
50
Sig.IN
V
CC
d = 1mm
Evaporated Al
Glass plate
Sig.
OUT
R
L
V
CC
I
C
d = 1mm
Evaporated Al
Glass plate
R
L
10%
90%
t
r
t
f
t
r
: Rise time
t
f
: Fall time
Sig.OUT
Sig.IN
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25C)
Parameter
Reverse voltage (DC)
Forward current (DC)
Power dissipation
Collector current
Symbol
Ratings
V
R
I
F
P
D*1
I
C
V
CEO
V
ECO
P
C*2
T
opr
–25 to +85
T
stg
–40 to +100
Unit
V
mA
mW
mA
V
V
mW
C
C
Input (Light
emitting diode)
6
50
75
30
35
6
75
Output (Photo
Collector to emitter voltage
transistor)
Emitter to collector voltage
Collector power dissipation
Operating ambient temperature
Storage temperature
Temperature
Electrical Characteristics
(Ta = 25C)
Parameter
Forward voltage (DC)
characteristics
Reverse current (DC)
Symbol
V
F
I
R
I
CEO
I
C*1
I
D
Conditions
min
typ
1.2
max
1.4
10
1.0
15.0
5.0
1.2
Unit
V
μ
A
μ
A
mA
μ
A
V
Input
I
F
= 20mA
V
R
= 3V
V
CE
= 10V
V
CC
= 2V, I
F
= 4mA, R
L
= 100
, d
= 1mm
V
CC
= 2V, I
F
= 4mA, R
L
= 100
Output characteristics
Collector cutoff current
Collector current
Leakage current
0.52
Transfer
characteristics
Collector to emitter saturation voltage
V
CE(sat)
I
F
= 4mA, I
C
= 0.5mA
Response time
t
r*2
t
f*2
V
CC
= 2V, I
C
= 10mA,
R
L
= 100
120
115
μ
s
*1
Output Current (IC) measurement
*2
Response time measurement
method (see figure below.) circuit (see figure below.)
Overview
CNB2001 is a small, thin SMD-compatible reflective photosensor
consisting of a high efficiency GaAs infrared light emitting diode
which is integrated with a high sensitivity Darlington phototransistor
in a single resin package.
Color indication of classifications
Class
I
C
(
μ
A)
Color
Q
0.52 to 1.94
Orange
R
1.45 to 5.4
White
S
4.0 to 15.0
Light blue
*1
Input power derating ratio is
1.0 mW/C at Ta
≥
25C.
*2
Output power derating ratio is
1.0 mW/C at Ta
≥
25C.
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