參數(shù)資料
型號： BUK582-100A
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： PowerMOS transistor Logic level FET
中文描述： 1.7 A, 100 V, 0.31 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, SOT-223, 4 PIN
文件頁數(shù)： 7/8頁
文件大小： 55K
代理商： BUK582-100A
Philips Semiconductors
Product Specification
PowerMOS transistor
Logic level FET
BUK582-100A
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm
Net Mass: 0.11 g
Fig.18. SOT223 surface mounting package.
Notes
1. Observe the general handling precautions for electrostatic-discharge sensitive devices (ESDs) to prevent
damage to MOS gate oxide.
2. Refer to surface mounting instructions for SOT223 envelope.
3. Epoxy meets UL94 V0 at 1/8".
6.7
6.3
3.1
2.9
4
1
2
3
2.3
1.05
0.85
0.80
0.60
4.6
3.7
3.3
7.3
6.7
B
A
0.10
0.02
13
16
max
1.8
max
10
max
0.32
0.24
(4x)
B
M
0.1
A
M
0.2
January 1998
7
Rev 1.100
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PDF描述
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參數(shù)描述
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BUK6207-30C,118 功能描述:MOSFET N-CHAN 30V 81A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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