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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BUK456-60H |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | PowerMOS transistor |
| 中文描述： | 60 A, 60 V, 0.02 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/7頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 57K |
| 代理商： | BUK456-60H |
Philips Semiconductors
Product Specification
PowerMOS transistor
BUK456-60H
Fig.13. Typical turn-on gate-charge characteristics.
V
GS
= f(Q
G
); conditions: I
D
= 50 A; parameter V
DS
Fig.14. Typical reverse diode current.
I
F
= f(V
SDS
); conditions: V
GS
= 0 V; parameter T
j
Fig.15. Normalised avalanche energy rating.
W
DSS
% = f(T
mb
); conditions: I
D
= 50 A
Fig.16. Avalanche energy test circuit.
W
DSS
=
0.5
LI
D
0
20
40
60
80
QG / nC
VGS / V
BUK456-60H
15
10
5
0
VDS / V =12
48
20
40
60
80
100
Tmb / C
120
140
160
180
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
WDSS%
0
1
VSDS / V
IS / A
BUK456-60H
100
80
60
40
20
0
0.5
1.5
Tj / C = 25
150
L
T.U.T.
VDD
RGS
R 01
shunt
VDS
-ID/100
+
-
VGS
0
2
BV
DSS
/(
BV
DSS
V
DD
)
May 1993
5
Rev 1.100
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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