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參數(shù)資料
| 型號： | BUJ100AT |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Silicon Diffused Power Transistor |
| 中文描述： | 1 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, SOT-223, 4 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 8/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 69K |
| 代理商： | BUJ100AT |
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BUJ100AT
MECHANICAL DATA
Fig.24. SOT223 surface mounting package.
Notes
1. This product is supplied in anti-static packaging. The gate-source input must be protected against static
discharge during transport or handling.
2. Refer to Discrete Semiconductor Packages, Data Handbook SC18.
3. Epoxy meets UL94 V0 at 1/8".
UNIT
A
1
b
p
c
D
E
e
1
H
E
L
p
Q
y
w
v
REFERENCES
OUTLINE
EUROPEAN
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
EIAJ
mm
0.10
0.01
1.8
1.5
0.80
0.60
b
1
3.1
2.9
0.32
0.22
6.7
6.3
3.7
3.3
2.3
e
4.6
7.3
6.7
1.1
0.7
0.95
0.85
0.1
0.1
0.2
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
SOT223
96-11-11
97-02-28
w
M
b
p
D
b
1
e
1
e
A
A
1
L
p
Q
detail X
H
E
E
v
M
A
A
B
B
c
y
0
2
4 mm
scale
A
X
1
3
2
4
Plastic surface mounted package; collector pad for good heat transfer; 4 leads
SOT223
September 1999
8
Rev 1.000
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PDF描述 |
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