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參數(shù)資料
| 型號： | BUJ100AT |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Silicon Diffused Power Transistor |
| 中文描述： | 1 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, SOT-223, 4 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 5/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 69K |
| 代理商： | BUJ100AT |
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BUJ100AT
Fig.13. Inductive switching.
tsi = f(h
FE
)
Fig.14. Inductive switching.
tsi = f(I
C
)
RESISTIVE SWITCHING
Fig.15. Test circuit resistive load. V
= -6 to +8 V
V
= 250 V; t
= 20
μ
s;
δ
= t
p
/ T = 0.01.
R
B
and R
L
calculated from I
Con
and I
Bon
requirements.
Fig.16. Switching times waveforms with resistive load.
Fig.17. Resistive switching.
ton = f(I
C
)
Fig.18. Resistive switching.
ts = f(I
C
)
2
4
6
8
10
0
0.25
0.5
0.75
1
1.25
HFE GAIN (IC/IB)
tsi (us)
11
IC = 2A
IC = 1A
IC = 1.5A
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
0
0.25
0.5
0.75
1
1.25
IC COLLECTOR CURRENT /A
tsi (us)
IC/IB = 10
IC/IB = 5
IC/IB = 3
tp
T
VCC
R
R
T.U.T.
0
VIM
B
L
IC
IB
10 %
10 %
90 %
90 %
ton
toff
ts
tf
IBon
-IBoff
ICon
tr
30ns
0
0.5
1
1.5
2
0
0.5
1
1.5
IC COLLECTOR CURRENT (A)
ton (us)
IC/IB = 3
IC/IB = 5
IC/IB = 10
0
0.5
1
1.5
2
2.5
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
IC COLLECTOR CURRENT (A)
ts (us)
IC/IB = 3
IC/IB = 10
IC/IB = 5
September 1999
5
Rev 1.000
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