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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BUJ100AT |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Silicon Diffused Power Transistor |
| 中文描述： | 1 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, SOT-223, 4 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 7/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 69K |
| 代理商： | BUJ100AT |
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BUJ100AT
MOUNTING INSTRUCTIONS
Dimensions in mm.
Fig.22. soldering pattern for surface mounting SOT223.
PRINTED CIRCUIT BOARD
Dimensions in mm.
Fig.23. PCB for thermal resistance and power rating for SOT223.
PCB: FR4 epoxy glass (1.6 mm thick), copper laminate (35
μ
m thick).
3.8
min
6.3
2.3
4.6
1.5
min
1.5
min
1.5
min
(3x)
36
60
9
10
4.6
18
4.5
7
15
50
September 1999
7
Rev 1.000
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PDF描述 |
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