參數(shù)資料
型號(hào)： BU508DF
廠(chǎng)商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： Silicon Diffused Power Transistor(硅擴(kuò)散功率型晶體管)
中文描述： 8 A, 700 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, SOT-199, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/7頁(yè)
文件大小： 55K
代理商： BU508DF
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BU508DF
Fig.5. Typical collector-emitter saturation voltage.
V
CE
sat = f (I
C
); parameter I
C
/I
B
Fig.6. Typical base-emitter saturation voltage.
V
BE
sat = f (I
B
); parameter I
C
Fig.7. Typical collector-emitter saturation voltage.
V
CE
sat = f (I
B
); parameter I
C
Fig.8. Normalised power dissipation.
PD% = 100
P
D
/P
D 25C
= f (T
hs
)
BU508AD
0.1
1
10
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
IC / A
VCESAT / V
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9
BU508AD
0.1
1
10
0.1
1
10
IC = 4.5A
IC = 6A
IC = 3A
VCESAT/V
IB/A
0
1
2
3
4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
IC = 6A
IC = 4.5A
IC = 3A
IB / A
VBESAT / V
BU508AD
0
20
40
60
80
100
120
140
Ths / C
PD%
Normalised Power Derating
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
with heatsink compound
July 1998
4
Rev 1.200
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BU508DW Silicon Diffused Power Transistor(硅擴(kuò)散功率型晶體管)
BU508DX Silicon Diffused Power Transistor
BU522 TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 350V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-220AB
BU522A TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 400V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-220AB
BU536 TRANSISTOR | BJT | NPN | 500V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-3
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參數(shù)描述
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BU508DR 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 700V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-218VAR
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