參數(shù)資料
型號： BU508DF
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon Diffused Power Transistor(硅擴散功率型晶體管)
中文描述： 8 A, 700 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, SOT-199, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/7頁
文件大?。?/td> 55K
代理商： BU508DF
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BU508DF
Fig.1. Switching times waveforms.
Fig.2. Switching times definitions.
Fig.3. Switching times test circuit
Fig.4. Typical DC current gain. h
FE
= f (I
C
)
parameter V
CE
IC
IB
VCE
ICsat
IBend
64us
26us
20us
t
t
t
TRANSISTOR
DIODE
+ 150 v nominal
adjust for ICsat
1mH
12nF
D.U.T.
LB
IBend
-VBB
ICsat
90 %
10 %
tf
ts
IBend
IC
IB
t
t
- IBM
0.1
10
1
10
100
I1
h
FE
BU508AD
July 1998
3
Rev 1.200
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BU508DW Silicon Diffused Power Transistor(硅擴散功率型晶體管)
BU508DX Silicon Diffused Power Transistor
BU522 TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 350V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-220AB
BU522A TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 400V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-220AB
BU536 TRANSISTOR | BJT | NPN | 500V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-3
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參數(shù)描述
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BU508DR 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 700V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-218VAR
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