BU508DF_12

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制造商
COMSET
制造商全稱
Comset Semiconductor
功能描述
SILICON DIFFUSED POWER TRANSISTOR

BU508DF_12 技術參數

BU508AW 功能描述:TRANS NPN 700V 8A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:8A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:700V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 1.6A，4.5A 電流 - 集電極截止（最大值）:200μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:10 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:125W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247-3 標準包裝:30 BU508AFTBTU 功能描述:TRANS NPN 700V 5A TO-3PF 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:700V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 2A，4.5A 電流 - 集電極截止（最大值）:1mA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:2.25 @ 4.5A，5V 功率 - 最大值:60W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:SC-94 供應商器件封裝:TO-3PF 標準包裝:30 BU508AFI 功能描述:TRANS NPN 700V 8A ISOWATT218 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:8A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:700V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 2A，4.5A 電流 - 集電極截止（最大值）:1mA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:- 功率 - 最大值:50W 頻率 - 躍遷:7MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:ISOWATT-218-3 供應商器件封裝:ISOWATT-218FX 標準包裝:300 BU508AF 功能描述:TRANS NPN 700V 8A ISOWATT218FX 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:8A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:700V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 1.6A，4.5A 電流 - 集電極截止（最大值）:200μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:10 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:50W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:ISOWATT218FX 供應商器件封裝:ISOWATT-218FX 標準包裝:30 BU508A 功能描述:TRANS NPN 700V 8A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:8A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:700V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 2A，4.5A 電流 - 集電極截止（最大值）:1mA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:- 功率 - 最大值:125W 頻率 - 躍遷:7MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247-3 標準包裝:30 BU52003GUL-E2 BU52004GUL-E2 BU-5200-A-4-0 BU52011HFV-TR BU52012HFV-TR BU52012NVX-TR BU52013HFV-TR BU52014HFV-TR BU52015GUL-E2 BU52021HFV-TR BU52025G-TR BU52040HFV-TR BU52051NVX-TR BU52053NVX-TR BU52054GWZ-E2 BU52055GWZ-E2 BU52056NVX-TR BU52061NVX-TR