參數(shù)資料
型號(hào): BTS650-P
元件分類: TVS-瞬態(tài)抑制二極管
英文描述: Transient Voltage Suppressor Diodes
中文描述: ?6mOhm - Vbb(上)\u003d 5V的- 34V的-的TO220抗體/ 7?
文件頁(yè)數(shù): 13/16頁(yè)
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代理商: BTS650-P
Data Sheet BTS650P
Infineon Technologies AG
Page 13
2000-Mar-24
Typ. current limitation characteristic
I
L
= f (V
ON
, T
j
)
I
L
[A]
V
ON
[V]
In case of V
ON
> V
ON(SC)
(typ. 6 V) the device will be
switched off by internal short circuit detection.
Typ. on-state resistance
R
ON
= f (V
bb
, T
j
)
;
I
L
= 20
A;
V
IN
= 0
R
ON
[mOhm]
0
2
4
6
8
10
12
14
0
5
10
15
static
dynamic
T
j
= 150°C
85°C
25°C
-40°C
40
V
bb
[V]
Typ. input current
I
IN
=
f
(
V
bIN
),
V
bIN =
V
bb
-
V
IN
I
IN
[mA]
V
bIN
[V]
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
0
5
10
15
20
V
ON
> V
ON(SC)
only for t < t
d(SC)
(otherwise immediate shutdown)
T
J
= 25°C
T
J
= - 40°C
T
J
= 150°C
V
ON(FB)
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0
20
40
60
80
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BTS650PE3128 Transient Voltage Suppressor Diodes
BTS650PE3180 Transient Voltage Suppressor Diodes
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參數(shù)描述
BTS650P E3180A 功能描述:IC SWITCH PWR HISIDE TO220-7 SMD RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET,電橋驅(qū)動(dòng)器 - 內(nèi)部開關(guān) 系列:PROFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 類型:高端/低端驅(qū)動(dòng)器 輸入類型:SPI 輸出數(shù):8 導(dǎo)通狀態(tài)電阻:850 毫歐,1.6 歐姆 電流 - 輸出 / 通道:205mA,410mA 電流 - 峰值輸出:500mA,1A 電源電壓:9 V ~ 16 V 工作溫度:-40°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:20-SOIC(0.295",7.50mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-DSO-20-45 包裝:帶卷 (TR)
BTS650P 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IC MOSFET SMART SWITCH TO-220-7
BTS650PE3128 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Single Peripheral Driver
BTS650PE3180 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Single Peripheral Driver
BTS650PE3180A 功能描述:電源開關(guān) IC - POE / LAN Smart High Side High Current PROFET RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 開關(guān)數(shù)量:Single 開關(guān)配置:SPST 開啟電阻(最大值):7.3 Ohms 串話: 帶寬: 開啟時(shí)間(最大值):13 ns 關(guān)閉時(shí)間(最大值):20 ns 切換電壓(最大): 工作電源電壓:8 V to 26 V 最大工作溫度:+ 125 C 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220F-6