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參數(shù)資料
| 型號： | BSS110 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
| 中文描述： | 170 mA, 50 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92 |
| 封裝： | PLASTIC, TO-92 VARIANT, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 5/9頁 |
| 文件大小： | 76K |
| 代理商： | BSS110 |
1995 Apr 07
5
Philips Semiconductors
Product specification
P-channel enhancement mode
vertical D-MOS transistor
BSS110
Fig.6
Capacitance as a function of drain source
voltage; typical values.
V
GS
= 0.
T
j
= 25
°
C.
f = 1 MHz.
handbook, halfpage
C
(pF)
0
60
40
20
0
10
20
30
MLD191
VDS
Crss
Coss
Ciss
Fig.7 Typical output characteristics.
T
j
= 25
°
C.
handbook, halfpage
0
2
10
12
200
0
400
MLD197
4
6
8
VDS
VGS
10 V
7.5 V
6 V
5 V
4 V
3 V
2.5 V
ID
(mA)
Fig.8 Typical transfer characteristics.
V
DS
=
10 V.
T
j
= 25
°
C.
handbook, halfpage
0
2
4
10
200
0
400
MLD196
6
ID
(mA)
VGS
8
Fig.9
Drain-source on-state resistance as a
function of drain current; typical values.
T
j
= 25
°
C.
handbook, halfpage
0
40
1
MLD198
10
10
2
10
3
20
ID
RDSon
(
)
VGS
2.5 V
3 V
7.5 V
10 V
4 V
5 V
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