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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BSS110 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
| 中文描述： | 170 mA, 50 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92 |
| 封裝： | PLASTIC, TO-92 VARIANT, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 76K |
| 代理商： | BSS110 |
1995 Apr 07
2
Philips Semiconductors
Product specification
P-channel enhancement mode
vertical D-MOS transistor
BSS110
FEATURES
Low threshold voltage
Direct interface to C-MOS, TTL, etc.
High speed switching
No secondary breakdown.
APPLICATIONS
Intended for use as a Line current interruptor in
telephone sets and for applications in relay, high speed
and line transformer drivers.
DESCRIPTION
P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
in a TO-92 variant package.
PINNING - TO-92 variant
PIN
SYMBOL
DESCRIPTION
1
2
3
s
g
d
source
gate
drain
CAUTION
The device is supplied in an antistatic package. The
gate-source input must be protected against static
discharge during transport or handling.
Fig.1 Simplified outline and symbol.
handbook, halfpage
s
d
g
MAM144
1
3
2
QUICK REFERENCE DATA
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
50
±
20
2
170
10
830
UNIT
V
DS
V
GSO
V
GSth
I
D
R
DSon
P
tot
drain-source voltage (DC)
gate-source voltage (DC)
gate-source threshold voltage
drain current (DC)
drain-source on-state resistance
total power dissipation
0.8
V
V
V
mA
mW
open drain
I
D
=
1 mA; V
DS
= V
GS
I
D
=
170 mA; V
GS
=
10 V
up to T
amb
= 25
°
C
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