參數(shù)資料
型號： BSP30
廠商： DIOTEC SEMICONDUCTOR AG
英文描述： Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
中文描述： 表面貼裝硅外延PlanarTransistors
文件頁數(shù)： 8/9頁
文件大?。?/td> 76K
代理商： BSP30
1999-09-22
Page 8
BSP308
Preliminary data
Typ. gate charge
V
GS
= f (Q
Gate
)
parameter: I
D
= 4.7 A pulsed
BSP308
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
nC
21
Q
Gate
0
2
4
6
8
10
12
V
16
V
G
DS max
V
0,8
DS max
V
0,2
Drain-source breakdown voltage
V
(BR)DSS
= f (T
j
)
-60
-20
20
60
100
°C
180
T
j
27
28
29
30
31
32
33
34
35
V
37
BSP308
V
(
相關PDF資料
PDF描述
BSP317Q67000-S94 TRANSISTOR MOSFET SMD SOT 223
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BSP31 MEDIUM POWER AMPLIFIER
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相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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