參數(shù)資料
型號： BSP30
廠商： DIOTEC SEMICONDUCTOR AG
英文描述： Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
中文描述： 表面貼裝硅外延PlanarTransistors
文件頁數(shù)： 5/9頁
文件大?。?/td> 76K
代理商： BSP30
1999-09-22
Page 5
BSP308
Preliminary data
Drain current
I
D
= f (T
A
)
0
20
40
60
80
100
120
°C
160
T
A
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
A
5.5
BSP308
I
D
Power Dissipation
P
tot
= f (T
A
)
0
20
40
60
80
100
120
°C
160
T
A
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
W
1.9
BSP308
P
t
Transient thermal impedance
Z
thJA
= f(t
p
)
parameter : D =t
p
/T
BSP308
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
4
s
t
p
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
K/W
Z
t
single pulse
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
Safe operating area
I
D
= f( V
DS
)
parameter : D= 0 , T
A
= 25 °C
BSP308
10
-1
10
0
10
1
10
2
V
V
DS
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
A
I
D
R
DSon
=
V
DS
I
D
DC
10 ms
1 ms
tp = 160.0
μs
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PDF描述
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參數(shù)描述
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