參數(shù)資料
型號： BSP30
廠商： DIOTEC SEMICONDUCTOR AG
英文描述： Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
中文描述： 表面貼裝硅外延PlanarTransistors
文件頁數(shù)： 4/9頁
文件大?。?/td> 76K
代理商： BSP30
1999-09-22
Page 4
BSP308
Preliminary data
Electrical Characteristics,
at T
j
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Unit
Values
typ.
Symbol
min.
max.
Dynamic Characteristics
Gate to source charge
V
DD
= 24 V,
I
D
= 4.7 A
Gate to drain charge
V
DD
= 24 V,
I
D
= 4.7 A
Gate charge total
V
DD
= 24 V,
I
D
= 4.7 A,
V
GS
= 0 to 10 V
Gate plateau voltage
V
DD
= 24 V ,
I
D
= 4.7 A
-
Q
gs
nC
2.9
1.9
Q
gd
5.4
8.1
-
22
-
Q
g
14.5
V
(plateau)
-
3.1
-
V
Parameter
Symbol
Values
typ.
Unit
min.
max.
Reverse Diode
Inverse diode continuous forward current
T
A
= 25 °C
Inverse diode direct current,pulsed
T
A
= 25 °C
Inverse diode forward voltage
V
GS
= 0 V,
I
F
= 4.7 A
Reverse recovery time
V
R
= 15 V,
I
F
=
I
S
,
di
F
/dt
= 100 A/μs
Reverse recovery charge
V
R
= 15 V,
I
F=
l
S
,
di
F
/dt
= 100 A/μs
I
S
-
-
4.7
A
I
SM
-
-
18.8
V
SD
-
0.84
1.1
V
t
rr
-
38.4
57.6
ns
Q
rr
-
22.3
33.5
nC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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