參數(shù)資料
型號： BSP30
廠商： DIOTEC SEMICONDUCTOR AG
英文描述： Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
中文描述： 表面貼裝硅外延PlanarTransistors
文件頁數(shù)： 2/9頁
文件大?。?/td> 76K
代理商： BSP30
1999-09-22
Page 2
BSP308
Preliminary data
Thermal Characteristics
Parameter
Symbol
Unit
Values
typ.
min.
max.
Characteristics
Thermal resistance, junction - soldering point
SMD version, device on PCB:
@ min. footprint
@ 6 cm
2
cooling area
1)
25
110
70
K/W
K/W
-
-
-
R
thJS
R
thJA
-
-
-
Electrical Characteristics
, at T
j
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Values
typ.
Unit
min.
max.
Static Characteristics
Drain- source breakdown voltage
V
GS
= 0 V,
I
D
= 250 μA
Gate threshold voltage,
V
GS
=
V
DS
I
D
= 20 μA
Zero gate voltage drain current
V
DS
= 30 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 25 °C
V
DS
= 30 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 125 °C
Gate-source leakage current
V
GS
= 20 V,
V
DS
= 0 V
Drain-Source on-state resistance
V
GS
= 4.5 V,
I
D
= 3.9 A
Drain-Source on-state resistance
V
GS
= 10 V,
I
D
= 4.7
V
(BR)DSS
30
-
V
-
1.2
1.6
2
V
GS(th)
μA
1
100
I
DSS
0.1
10
-
-
I
GSS
-
10
100
nA
R
DS(on)
-
0.05
0.075
R
DS(on)
-
0.03
0.05
1Device on 40mm*40mm*1.5mm epoxy PCB FR4 with 6cm2
(one layer, 70 μm thick) copper area for drain
connection. PCB is vertical without blown air.
相關PDF資料
PDF描述
BSP317Q67000-S94 TRANSISTOR MOSFET SMD SOT 223
BSP318 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 2.6A I(D) | SOT-223
BSP31 MEDIUM POWER AMPLIFIER
BSP31 Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
BSPD25N06S2-40 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 29A I(D) | TO-252AA
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
BSP300 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-Channel 800V 0.19A SOT223
BSP300 E6327 功能描述:MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223 RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:SIPMOS® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
BSP300 L6327 功能描述:MOSFET SIPMOS SM-Signal Transistor 800V .19A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BSP300_08 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:SIPMOS Small-Signal Transistor
BSP300E6327NT 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 800V 0.19A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*