參數(shù)資料
型號(hào)： BSP308
英文描述： ?Small Signal MOSFET.30V. SOT-223. RDSon = 75mOhm. 4.7A. LL ?
中文描述： ？小信號(hào)MOSFET.30V。采用SOT - 223。導(dǎo)通狀態(tài)\u003d 75mOhm。 4.7A。當(dāng)?shù)毓蛦T？
文件頁(yè)數(shù)： 8/9頁(yè)
文件大小： 76K
代理商： BSP308
1999-09-22
Page 8
BSP308
Preliminary data
Typ. gate charge
V
GS
= f (Q
Gate
)
parameter: I
D
= 4.7 A pulsed
BSP308
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
nC
21
Q
Gate
0
2
4
6
8
10
12
V
16
V
G
DS max
V
0,8
DS max
V
0,2
Drain-source breakdown voltage
V
(BR)DSS
= f (T
j
)
-60
-20
20
60
100
°C
180
T
j
27
28
29
30
31
32
33
34
35
V
37
BSP308
V
(
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BSP30 MEDIUM POWER AMPLIFIER
BSP30 Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
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