參數(shù)資料
型號： BSP308
英文描述： ?Small Signal MOSFET.30V. SOT-223. RDSon = 75mOhm. 4.7A. LL ?
中文描述： ？小信號MOSFET.30V。采用SOT - 223。導(dǎo)通狀態(tài)\u003d 75mOhm。 4.7A。當(dāng)?shù)毓蛦T？
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代理商： BSP308
1999-09-22
Page 7
BSP308
Preliminary data
Drain-source on-resistance
R
DS(on)
= f (T
j
)
parameter : I
D
= 4.7 , V
GS
= 10 V
BSP308
-60
-20
20
60
100
°C
180
T
j
0.00
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0.06
0.07
0.08
0.09
0.10
0.12
R
D
typ
98%
Gate threshold voltage
V
GS(th)
= f(T)
parameter: V
GS
= V
DS
, I
D
= 20 μA
-60
-20
20
60
100
°C
180
T
j
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
V
3.0
98%
typ
2%
V
G
Typ. capacitances
C = f(V
DS
)
parameter: V
GS
=0 V, f=1 MHz
0
5
10
15
20
25
30
V
40
VDS
1
10
2
10
3
10
pF
C
Ciss
Coss
Crss
Forward characteristics of reverse diode
I
F
= f(V
SD
)
parameter: T , t
p
= 80 μs
2
10
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
V
3.0
V
SD
-1
10
0
10
1
10
A
BSP308
I
F
T
j
= 25 °C typ
T
j
= 150 °C typ
T
j
= 25 °C (98%)
T
j
= 150 °C (98%)
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PDF描述
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