參數(shù)資料
型號(hào)： BSP308
英文描述： ?Small Signal MOSFET.30V. SOT-223. RDSon = 75mOhm. 4.7A. LL ?
中文描述： ？小信號(hào)MOSFET.30V。采用SOT - 223。導(dǎo)通狀態(tài)\u003d 75mOhm。 4.7A。當(dāng)?shù)毓蛦T？
文件頁數(shù)： 2/9頁
文件大小： 76K
代理商： BSP308
1999-09-22
Page 2
BSP308
Preliminary data
Thermal Characteristics
Parameter
Symbol
Unit
Values
typ.
min.
max.
Characteristics
Thermal resistance, junction - soldering point
SMD version, device on PCB:
@ min. footprint
@ 6 cm
2
cooling area
1)
25
110
70
K/W
K/W
-
-
-
R
thJS
R
thJA
-
-
-
Electrical Characteristics
, at T
j
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Values
typ.
Unit
min.
max.
Static Characteristics
Drain- source breakdown voltage
V
GS
= 0 V,
I
D
= 250 μA
Gate threshold voltage,
V
GS
=
V
DS
I
D
= 20 μA
Zero gate voltage drain current
V
DS
= 30 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 25 °C
V
DS
= 30 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 125 °C
Gate-source leakage current
V
GS
= 20 V,
V
DS
= 0 V
Drain-Source on-state resistance
V
GS
= 4.5 V,
I
D
= 3.9 A
Drain-Source on-state resistance
V
GS
= 10 V,
I
D
= 4.7
V
(BR)DSS
30
-
V
-
1.2
1.6
2
V
GS(th)
μA
1
100
I
DSS
0.1
10
-
-
I
GSS
-
10
100
nA
R
DS(on)
-
0.05
0.075
R
DS(on)
-
0.03
0.05
1Device on 40mm*40mm*1.5mm epoxy PCB FR4 with 6cm2
(one layer, 70 μm thick) copper area for drain
connection. PCB is vertical without blown air.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BSP30 MEDIUM POWER AMPLIFIER
BSP30 Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
BSP317Q67000-S94 TRANSISTOR MOSFET SMD SOT 223
BSP318 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 2.6A I(D) | SOT-223
BSP31 MEDIUM POWER AMPLIFIER
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BSP30T/R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 1A I(C) | SOT-223
BSP31 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:PNP medium power transistor,BSP31 SC-73
BSP31 T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED PWR TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BSP31,115 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED PWR TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BSP31115 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANS PNP 60V 1A SOT-223
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