型號: | BSP308 |
英文描述: | ?Small Signal MOSFET.30V. SOT-223. RDSon = 75mOhm. 4.7A. LL ? |
中文描述: | ?小信號MOSFET.30V。采用SOT - 223。導(dǎo)通狀態(tài)\u003d 75mOhm。 4.7A。當(dāng)?shù)毓蛦T? |
文件頁數(shù): | 3/9頁 |
文件大?。?/td> | 76K |
代理商: | BSP308 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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BSP30 | MEDIUM POWER AMPLIFIER |
BSP30 | Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
BSP317Q67000-S94 | TRANSISTOR MOSFET SMD SOT 223 |
BSP318 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 2.6A I(D) | SOT-223 |
BSP31 | MEDIUM POWER AMPLIFIER |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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BSP30T/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 1A I(C) | SOT-223 |
BSP31 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:PNP medium power transistor,BSP31 SC-73 |
BSP31 T/R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED PWR TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BSP31,115 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED PWR TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BSP31115 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANS PNP 60V 1A SOT-223 |