參數(shù)資料
型號: BSP304
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistors(P溝道增強型垂直D-MOS晶體管)
中文描述: 170 mA, 300 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
封裝: PLASTIC, TO-92 VARIANT, 3 PIN
文件頁數(shù): 7/9頁
文件大小: 75K
代理商: BSP304
1995 Apr 07
7
Philips Semiconductors
Product specification
P-channel enhancement mode
vertical D-MOS transistors
BSP304; BSP304A
Fig.13 Transient thermal resistance from junction to ambient as a function of pulse time; typical values.
T
amb
= 25
°
C.
handbook, full pagewidth
1
10
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0
1
10
3
10
2
10
3
(K/W)
MLC698
tp (s)
0.75
δ
=
10
2
tp
T
P
t
tp
T
δ
=
Rth j-a
1
10
10
5
2
10
1
10
3
10
4
10
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BSP304A P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistors(P溝道增強型垂直D-MOS晶體管)
BSP308 ?Small Signal MOSFET.30V. SOT-223. RDSon = 75mOhm. 4.7A. LL ?
BSP30 MEDIUM POWER AMPLIFIER
BSP30 Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
BSP317Q67000-S94 TRANSISTOR MOSFET SMD SOT 223
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BSP304A 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistors
BSP304A AMO 功能描述:MOSFET VDMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BSP304A,126 功能描述:MOSFET VDMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BSP304T/R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 170MA I(D) | TO-92VAR
BSP308 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:?Small Signal MOSFET.30V. SOT-223. RDSon = 75mOhm. 4.7A. LL ?