參數(shù)資料
型號： BSP304
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistors(P溝道增強型垂直D-MOS晶體管)
中文描述： 170 mA, 300 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
封裝： PLASTIC, TO-92 VARIANT, 3 PIN
文件頁數(shù)： 6/9頁
文件大?。?/td> 75K
代理商： BSP304
1995 Apr 07
6
Philips Semiconductors
Product specification
P-channel enhancement mode
vertical D-MOS transistors
BSP304; BSP304A
Fig.10 Drain-source on-state resistance as a
function of drain current; typical values.
T
j
= 25
°
C.
handbook, halfpage
(
)
0
10
20
30
40
50
1
10
10
10
ID(mA)
VGS= 3 V
4 V
5 V
7 V
10 V
MLC692
2
3
6 V
Fig.11 Temperature coefficient of gate-source
threshold voltage.
Typical V
GSth
at I
D
=
1 mA; V
DS
=V
GS
.
k
V
at T
GSth
at 25
°
C
V
=
handbook, halfpage
0.8
0.9
1.0
0
50
100
150
50
k
Tj
o
MLC696
Fig.12 Temperature coefficient of drain-source
on-state resistance.
Typical R
DSon
at I
D
=
170 mA; V
GS
=
10 V.
k
R
at T
DSon
at 25
°
C
R
=
handbook, halfpage
k
0
0.5
1
1.5
2
0
50
100
150
Tj
o
MLC695
50
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BSP304A P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistors(P溝道增強型垂直D-MOS晶體管)
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