參數(shù)資料
型號： BSP304
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistors(P溝道增強型垂直D-MOS晶體管)
中文描述： 170 mA, 300 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
封裝： PLASTIC, TO-92 VARIANT, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/9頁
文件大小： 75K
代理商： BSP304
1995 Apr 07
4
Philips Semiconductors
Product specification
P-channel enhancement mode
vertical D-MOS transistors
BSP304; BSP304A
Fig.2 Switching time test circuit.
handbook, halfpage
MBB689
50
ID
10 V
0
DD
Fig.3 Input and output waveforms.
handbook, halfpage
MBB690
10 %
90 %
90 %
10 %
ton
toff
OUTPUT
INPUT
Fig.4 Power derating curve.
handbook, halfpage
0
200
0
0.4
0.8
MLC697
Tamb
o
50
100
150
Ptot
(W)
δ
= 0.01.
T
amb
= 25
°
C.
(1) R
DSon
limitation.
Fig.5 DC SOAR.
handbook, halfpage
ID
(A)
MLC699
1
10
10
VDS(V)
2
1
10
2
10
tp
T
P
t
tp
T
δ
=
1 s
100
μ
s
1 ms
10 ms
100 ms
DC
(1)
tp =
10
μ
s
3
10
10
3
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BSP304A P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistors(P溝道增強型垂直D-MOS晶體管)
BSP308 ?Small Signal MOSFET.30V. SOT-223. RDSon = 75mOhm. 4.7A. LL ?
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BSP30 Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BSP304A 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistors
BSP304A AMO 功能描述:MOSFET VDMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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BSP308 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:?Small Signal MOSFET.30V. SOT-223. RDSon = 75mOhm. 4.7A. LL ?
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