參數資料
型號： BSO315C
英文描述： Low Capacitance Transient Voltage Suppressor Diodes
中文描述： ？SIPMOS?；パa。 30V的。 SO - 8封裝。導通狀態(tài)（N / P系列）\u003d 0.11/0.25Ohm。編號（北）\u003d 3.4A。編號（規(guī)劃）\u003d - 2.3a作出。當地雇員？
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代理商： BSO315C
1999-09-22
Page 9
Preliminary data
BSO 315 C
Drain-source on-resistance
(N-Ch.)
R
DS(on)
= f (T
j
)
parameter : I
D
= 3.4 A, V
GS
= 10 V
BSO 315 C
-60
-20
20
60
100
°C
180
T
j
0.00
0.04
0.08
0.12
0.16
0.20
0.24
0.32
R
D
typ
98%
Drain-source on-resistance
(P-Ch.)
R
DS(on)
= f(T)
Parameter: I
D
= -2.3 A, V
GS
= -10 V
-60
-20
20
60
100
°C
160
T
j
0.00
0.05
0.10
0.15
0.20
0.25
0.30
0.35
0.40
0.50
98%
typ
R
D
Gate threshold voltage
(N-Ch.)
V
GS(th)
= f(Tj)
parameter: V
GS
= V
DS
, I
D
= 20 μA
-60
-20
20
60
100
°C
160
0.0
0.2
0.5
0.8
1.0
1.2
1.5
1.8
2.0
2.2
2.5
V
3.0
2%
typ
98%
T
j
G
Gate threshold voltage
(P-Ch.)
V
GS(th)
= f(T)
parameter: V
GS
= V
DS
, I
D
= -230 μA
-60
-20
20
60
100
°C
160
T
j
0.0
-0.5
-1.0
-1.5
-2.0
V
-3.0
98%
typ
2%
G
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