參數資料
型號： BSO315C
英文描述： Low Capacitance Transient Voltage Suppressor Diodes
中文描述： ？SIPMOS?；パa。 30V的。 SO - 8封裝。導通狀態(tài)（N / P系列）\u003d 0.11/0.25Ohm。編號（北）\u003d 3.4A。編號（規(guī)劃）\u003d - 2.3a作出。當地雇員？
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代理商： BSO315C
1999-09-22
Page 7
Preliminary data
BSO 315 C
Typ. output characteristics
(N-Ch.)
I
D
= f(V
DS
)
parameter: t
p
= 80 μs
BSO 315 C
P
tot
= 2.00W
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
V
5.0
V
DS
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
A
8.0
I
D
VGS [V]
a
a
2.5
b
b
2.7
c
c
3.0
d
d
3.2
e
e
3.5
f
f
3.7
g
g
4.0
h
h
4.2
Typ. output characteristics
(P-Ch.)
I
D
=
f
(
V
DS
)
parameter:
t
p
= 80 μs
BSO 315 C
P
tot
= 2.00W
0.0 -0.5 -1.0 -1.5 -2.0 -2.5 -3.0 -3.5 -4.0
V
V
DS
-5.0
0.0
-0.5
-1.0
-1.5
-2.0
-2.5
-3.0
-3.5
-4.0
-4.5
-5.0
A
-6.0
I
D
VGS [V]
a
a
-2.5
b
b
-2.7
c
c
-3.0
d
d
-3.2
e
e
-3.5
f
f
-3.7
g
g
-4.0
Typ. drain-source-on-resistance
(N-Ch.)
R
DS(on)
=
f
(
I
D
)
parameter:
V
GS
BSO 315 C
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
A
7.0
I
D
0.00
0.04
0.08
0.12
0.16
0.20
0.24
0.28
0.36
R
D
c
V
GS
[V] =
c
3.0
d
d
3.2
e
e
3.5
f
f
3.7
g
g
4.0
h
h
4.2
Typ. drain-source-on-resistance
(P-Ch.)
R
DS(on)
=
f
(
I
D
)
parameter:
V
GS
BSO 315 C
0.0
-1.0
-2.0
-3.0
-4.0
°C
-5.5
T
j
0.00
0.10
0.20
0.30
0.40
0.50
0.60
0.80
R
D
b
V
GS
[V] =
b
-2.7
c
c
-3.0
d
d
-3.2
e
e
-3.5
f
f
-3.7
g
g
-4.0
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