參數(shù)資料
型號(hào)： BSO315C
英文描述： Low Capacitance Transient Voltage Suppressor Diodes
中文描述： ？SIPMOS?；パa(bǔ)。 30V的。 SO - 8封裝。導(dǎo)通狀態(tài)（N / P系列）\u003d 0.11/0.25Ohm。編號(hào)（北）\u003d 3.4A。編號(hào)（規(guī)劃）\u003d - 2.3a作出。當(dāng)?shù)毓蛦T？
文件頁(yè)數(shù)： 11/13頁(yè)
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代理商： BSO315C
1999-09-22
Page 11
Preliminary data
BSO 315 C
Avalanche Energy
E
AS
= f (T
j
) (N-Ch.)
parameter: I
D
= 2.9 A, V
DD
= 25 V
R
GS
= 25
25
45
65
85
105
125
°C
165
T
j
0
5
10
15
20
mJ
30
A
Avalanche Energy
E
AS
= f (T
j
)
parameter: I
D
= -1.8 A, V
DD
= -25 V
R
GS
= 25
25
45
65
85
105
125
°C
165
T
j
0
5
10
15
20
25
30
mJ
40
E
A
Typ. gate charge
(N-Ch.)
V
GS
= f (Q
Gate
)
parameter: I
D
= 3.4 A
BSO 315 C
0
2
4
6
8
nC
12
Q
Gate
0
2
4
6
8
10
12
V
16
V
G
DS max
V
0,8
DS max
V
0,2
Typ. gate charge
(P-Ch.)
V
GS
= f (Q
Gate
)
parameter: I
D
= -2.3 A
BSO 315 C
0
2
4
6
8
nC
11
Q
Gate
0
-2
-4
-6
-8
-10
-12
V
-16
V
G
DS max
V
0,8
DS max
V
0,2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BSP090 P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
BSP106 INDUCTOR TOROID W/HDR 75UH 15%
BSP107 N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
BSP108 N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
BSP120 N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
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參數(shù)描述
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BSO330N02KG 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:
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BSO350N03 功能描述:MOSFET N-CH 30V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BSO350N03FUMA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CHAN 30V 5A DSO-8
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