參數(shù)資料
型號： BSO315C
英文描述： Low Capacitance Transient Voltage Suppressor Diodes
中文描述： ？SIPMOS?；パa(bǔ)。 30V的。 SO - 8封裝。導(dǎo)通狀態(tài)（N / P系列）\u003d 0.11/0.25Ohm。編號（北）\u003d 3.4A。編號（規(guī)劃）\u003d - 2.3a作出。當(dāng)?shù)毓蛦T？
文件頁數(shù)： 4/13頁
文件大?。?/td> 150K
代理商： BSO315C
1999-09-22
Page 4
Preliminary data
BSO 315 C
Electrical Characteristics
, at T
j
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Values
typ.
Unit
min.
max.
Characteristics
Gate to source charge
V
DD
= 24 V,
I
D
= 3.4 A
V
DD
= -24 V,
I
D
= -2.3 A
Gate to drain charge
V
DD
= 24 V,
I
D
= 3.4 A
V
DD
= -24 V,
I
D
= -2.3 A
Gate charge total
V
DD
= 24 V,
I
D
= 3.4 A,
V
GS
= 0 to 10V
V
DD
= -24 V,
I
D
= -2.3 A,
V
GS
= 0 to -10V
Gate plateau voltage
V
DD
= 24 V,
I
D
= 3.4 A
V
DD
= -24 V,
I
D
= -2.3 A
N
P
Q
gs
-
-
1.1
1.1
1.6
1.6
nC
N
P
Q
gd
-
-
3.3
2.1
5
3.2
N
P
Q
g
-
-
7.8
7
11.7
10
N
P
V
(plateau)
-
-
3.5
-2.8
-
-
V
Reverse Diode
Inverse diode continuous forward current
T
A
= 25 °C
Inverse diode direct current,pulsed
T
A
= 25 °C
Inverse diode forward voltage
V
GS
= 0 V, I
F
= I
S
V
GS
= 0 V, I
F
= I
S
Reverse recovery time
V
R
= 15 V, I
F=
l
S
,
d
i
F
/d
t
= 100 A/μs
V
R
= -15 V,
I
F=
l
S
,
di
F
/dt
= -100 A/μs
Reverse recovery charge
V
R
= 15 V,
I
F=
l
S
,
di
F
/dt
= 100 A/μs
V
R
= -15 V,
I
F=
l
S
,
di
F
/dt
= -100 A/μs
N
P
I
S
-
-
-
-
2.9
-1.8
A
N
P
I
SM
-
-
-
-
11.6
-7.2
N
P
V
SD
-
-
0.85
-0.85
1.1
-1.1
V
N
P
t
rr
-
-
25
60
38
90
ns
N
P
Q
rr
-
-
12
37
18
55
μC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BSP090 P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
BSP106 INDUCTOR TOROID W/HDR 75UH 15%
BSP107 N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
BSP108 N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
BSP120 N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BSO330N02K G 功能描述:MOSFET OptiMOS 2 PWR Transt 20V 6.5mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BSO330N02KG 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:
BSO330N02KGFUMA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 5.4A 8-Pin DSO 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 5.4A DSO8
BSO350N03 功能描述:MOSFET N-CH 30V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BSO350N03FUMA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CHAN 30V 5A DSO-8
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*