參數(shù)資料
型號(hào)： BSD22
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： MOSFET N-channel depletion switching transistor(N溝道耗盡型開(kāi)關(guān)MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
中文描述： 50 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： PLASTIC, SOT-143B, 4 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/6頁(yè)
文件大?。?/td> 39K
代理商： BSD22
December 1997
2
Philips Semiconductors
Product specification
MOSFET N-channel depletion switching transistor
BSD22
DESCRIPTION
Symmetrical insulated-gate silicon
MOS field-effect transistor of the
n-channel depletion mode type.The
transistor is sealed in a SOT143
envelope and features a low
ON-resistance and low
capacitances.The transistor is
protected against excessive input
voltages by integrated back-to-back
diodes between gate and substrate.
Applications:
analog and/or digital switch
switch driver
convertor
chopper
PINNING
Note
1.
Drain and source are
interchangeable
1
2
3
4
= substrate (b)
= source
= drain
= gate
Marking code:
M32
Fig.1 Simplified outline and symbol.
handbook, halfpage
MAM389
Top view
g
d
b
s
2
1
3
QUICK REFERENCE DATA
Drain-source voltage
V
DS
max.
20
V
V
V
mA
mW
°
C
Gate-source voltage
V
GS
max.
+
15
40
50
230
125
Drain current (DC)
Total power dissipation up to T
amb
= 25
°
C
Junction temperature
Drain-source ON-resistance
V
GS
= 10 V; V
SB
= 0; I
D
= 1 mA
Feed-back capacitance
V
GS
= V
BS
=
5 V; V
DS
= 10 V; f = 1 MHz
I
D
P
tot
T
j
max.
max.
max.
R
DSon
max.
30
C
rss
typ.
0.6
pF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BSH101 N-channel enhancement mode MOS transistor
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參數(shù)描述
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