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參數(shù)資料
| 型號： | BSD22 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | MOSFET N-channel depletion switching transistor(N溝道耗盡型開關(guān)MOS場效應管) |
| 中文描述： | 50 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封裝： | PLASTIC, SOT-143B, 4 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 39K |
| 代理商： | BSD22 |
DATA SHEET
Product specification
File under Discrete Semiconductors, SC07
December 1997
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BSD22
MOSFET N-channel depletion
switching transistor
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| BSD223P H6327 | 功能描述:MOSFET P-CH 20V 390MA SOT363 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:OptiMOS™ 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標準包裝:1 系列:- FET 型:2 個 N 溝道（雙） FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR |
| BSD223P L6327 | 功能描述:MOSFET P-CH -20 V -.35 A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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