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參數(shù)資料
| 型號： | BLW80 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | UHF power transistor |
| 中文描述： | UHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | CERAMIC, SOT-122A, 4 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/11頁 |
| 文件大小： | 62K |
| 代理商： | BLW80 |
March 1993
3
Philips Semiconductors
Product specification
UHF power transistor
BLW80
RATINGS
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)
Collector-emitter voltage (V
BE
= 0)
peak value
Collector-emitter voltage (open base)
Emitter-base voltage (open collector)
Collector current (d.c.)
Collector current (peak value); f
>
1 MHz
Total power dissipation (d.c. and r.f.) up to T
mb
= 25
°
C
Storage temperature
Operating junction temperature
V
CESM
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
P
tot
T
stg
T
j
max
max
max
max
max
max
65 to
+
150
max
36 V
17 V
4 V
1 A
3 A
17 W
°
C
200
°
C
Fig.2 D.C. soar.
1
10
10
2
handbook, halfpage
1
10
1
VCE (V)
IC
(A)
MGP938
Th = 70
°
C
Tmb = 25
°
C
Fig.3 R.F. power dissipation.
handbook, halfpage
0
50
100
0
MGP939
20
10
Th (
°
C)
Prf
(W)
short time operation
during mismatch
continuous operation
derate by
0.092 W/K
r.f. power dissipation
VCE
≤
16.5 V
f
>
1 MHz
THERMAL RESISTANCE
From junction to mounting base
From mounting base to heatsink
R
th j-mb
R
th mb-h
=
=
10,3 K/W
0,6 K/W
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BLX41X | PNP |
| BLX41XX | PNP |
| BLX48R | TRANSISTOR | BJT | PNP | 100V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-205AD |
| BM-3BK | CASE DESKTOP |
| BM-2BK | CASE DESKTOP |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BLW81 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:UHF power transistor |
| BLW83 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:HF/VHF power transistor |
| BLW85 | 功能描述:射頻雙極電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray |
| BLW86 | 功能描述:射頻雙極電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray |
| BLW87 | 制造商:ASI 制造商全稱:ASI 功能描述:NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR |
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