參數(shù)資料
型號: BLW80
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: 功率晶體管
英文描述: UHF power transistor
中文描述: UHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
封裝: CERAMIC, SOT-122A, 4 PIN
文件頁數(shù): 10/11頁
文件大?。?/td> 62K
代理商: BLW80
March 1993
10
Philips Semiconductors
Product specification
UHF power transistor
BLW80
PACKAGE OUTLINE
UNIT
A
D1
W
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
EIAJ
mm
8-32
UNC
α
90
°
SOT122A
97-04-18
H
b
H
L
detail X
D
b
5.85
5.58
0.18
0.14
5.97
4.74
c
M1
M
1.02
N
N3
11.82
11.04
w1
0.381
Q
3.38
2.74
3.86
2.92
H
27.56
25.78
9.91
9.14
3.18
2.66
1.66
1.39
7.50
7.23
6.48
6.22
7.24
6.93
L
N1
max.
0
5
10 mm
scale
D2
M
ceramic
BeO
metal
W
Q
A
N
N1
N3
M1
D
c
X
1
4
3
2
Studded ceramic package; 4 leads
SOT122A
α
DIMENSIONS (millimetre dimensions are derived from the original inch dimensions)
A
w1
A
M
D1
D2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BLX41X PNP
BLX41XX PNP
BLX48R TRANSISTOR | BJT | PNP | 100V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-205AD
BM-3BK CASE DESKTOP
BM-2BK CASE DESKTOP
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BLW81 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:UHF power transistor
BLW83 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:HF/VHF power transistor
BLW85 功能描述:射頻雙極電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
BLW86 功能描述:射頻雙極電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
BLW87 制造商:ASI 制造商全稱:ASI 功能描述:NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR