參數(shù)資料
型號： BLW77
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： HF/VHF power transistor
中文描述： VHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
封裝： CERAMIC, SOT-121B, 4 PIN
文件頁數(shù)： 9/17頁
文件大?。?/td> 117K
代理商： BLW77
August 1986
9
Philips Semiconductors
Product specification
HF/VHF power transistor
BLW77
Fig.11 Power gain as a function of frequency.
V
CE
= 28 V; I
C(ZS)
= 100 mA; P
L
= 130 W;
T
h
= 25
°
C; Z
L
= 2,5
.
handbook, halfpage
Gp
(dB)
0
MGP530
1
10
10
2
10
20
30
f (MHz)
Fig.12 Input impedance (series components) as a
function of frequency.
V
CE
= 28 V; I
C(ZS)
= 100 mA; P
L
= 130 W;
T
h
= 25
°
C; Z
L
= 2,5
.
handbook, halfpage
0
MGP531
1
10
10
2
2.5
1
3
2
1
0
ri
(
)
xi
(
)
f (MHz)
xi
ri
Figs 11 and 12 are typical curves and hold for an
unneutralized amplifier in s.s.b. class-AB operation.
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PDF描述
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參數(shù)描述
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BLW83 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:HF/VHF power transistor
BLW85 功能描述:射頻雙極電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
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