參數(shù)資料
型號(hào)： BLW77
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： HF/VHF power transistor
中文描述： VHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
封裝： CERAMIC, SOT-121B, 4 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/17頁(yè)
文件大?。?/td> 117K
代理商： BLW77
August 1986
4
Philips Semiconductors
Product specification
HF/VHF power transistor
BLW77
CHARACTERISTICS
T
j
= 25
°
C unless otherwise specified
Notes
1.
2.
Measured under pulse conditions: t
p
≤
300
μ
s;
δ ≤
0,02.
Measured under pulse conditions: t
p
≤
50
μ
s;
δ ≤
0,01.
Collector-emitter breakdown voltage
V
BE
= 0; I
C
= 50 mA
Collector-emitter breakdown voltage
open base; I
C
= 100 mA
Emitter-base breakdown voltage
open collector; I
E
= 20 mA
Collector cut-off current
V
BE
= 0; V
CE
= 35 V
D.C. current gain
(1)
I
C
= 7 A; V
CE
= 5 V
D.C. current gain ratio of matched devices
(1)
I
C
= 7 A; V
CE
= 5 V
Collector-emitter saturation voltage
(1)
I
C
= 20 A; I
B
= 4 A
Transition frequency at f = 100 MHz
(2)
I
E
= 7 A; V
CB
= 28 V
I
E
= 20 A; V
CB
= 28 V
Collector capacitance at f = 1 MHz
I
E
= I
e
= 0; V
CB
= 28 V
Feedback capacitance at f = 1 MHz
I
C
= 100 mA; V
CE
= 28 V
Collector-flange capacitance
V
(BR) CES
>
70 V
V
(BR) CEO
>
35 V
V
(BR)EBO
>
4 V
I
CES
<
20 mA
h
FE
15 to 80
h
FE1
/h
FE2
<
1,2
V
CEsat
typ.
2 V
f
T
f
T
typ.
typ.
320 MHz
300 MHz
C
c
typ.
255 pF
C
re
C
cf
typ.
typ.
175 pF
3 pF
Fig.4 Typical values; V
CE
= 20 V.
handbook, halfpage
1.5
0.5
1
1
10
1
10
2
MGP523
VBE (V)
IC
(A)
Th = 70
°
C
25
°
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BLW78 HF/VHF power transistor
BLW80 UHF power transistor
BLX41X PNP
BLX41XX PNP
BLX48R TRANSISTOR | BJT | PNP | 100V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-205AD
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BLW78 制造商:PHILIPS 制造商全稱(chēng):NXP Semiconductors 功能描述:HF/VHF power transistor
BLW80 制造商:PHILIPS 制造商全稱(chēng):NXP Semiconductors 功能描述:UHF power transistor
BLW81 制造商:PHILIPS 制造商全稱(chēng):NXP Semiconductors 功能描述:UHF power transistor
BLW83 制造商:PHILIPS 制造商全稱(chēng):NXP Semiconductors 功能描述:HF/VHF power transistor
BLW85 功能描述:射頻雙極電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
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