參數資料
型號： BLW77
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： HF/VHF power transistor
中文描述： VHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
封裝： CERAMIC, SOT-121B, 4 PIN
文件頁數： 10/17頁
文件大小： 117K
代理商： BLW77
August 1986
10
Philips Semiconductors
Product specification
HF/VHF power transistor
BLW77
Fig.13 Power gain as a function of frequency.
V
CE
= 28 V; I
= 100 mA; P
= 130 W; T
h
= 25
°
C;
Z
L
= 2,5
; neutralizing capacitor: 150 pF.
handbook, halfpage
0
MGP533
1
10
10
2
10
20
f (MHz)
Gp
(dB)
Fig.14 Input impedance (series components) as a
function of frequency.
V
CE
= 28 V; I
= 100 mA; P
= 130 W; T
h
= 25
°
C;
Z
L
= 2,5
; neutralizing capacitor: 150 pF.
handbook, halfpage
0
MGP534
1
10
10
2
2.5
5
0
3
2
1
ri
(
)
f (MHz)
xi
ri
xi
(
)
13 and 14 are typical curves and hold for a push-pull
amplifier with cross-neutralization in s.s.b class-AB
operation.
相關PDF資料
PDF描述
BLW78 HF/VHF power transistor
BLW80 UHF power transistor
BLX41X PNP
BLX41XX PNP
BLX48R TRANSISTOR | BJT | PNP | 100V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-205AD
相關代理商/技術參數
參數描述
BLW78 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:HF/VHF power transistor
BLW80 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:UHF power transistor
BLW81 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:UHF power transistor
BLW83 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:HF/VHF power transistor
BLW85 功能描述:射頻雙極電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*