參數(shù)資料
型號(hào)： BLW30
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： VHF power transistor
中文描述： VHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
封裝： CERAMIC, SOT-120A, 4 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 9/11頁(yè)
文件大小： 72K
代理商： BLW30
September 1991
9
Philips Semiconductors
Product specification
VHF power transistor
BLW30
Fig.10 Input impedance (series components) as a
function of frequency, typical values.
Class-B operation; V
CE
= 12.5 V; P
L
= 30 W.
handbook, halfpage
MRA379
0
1
2
100
150
200
250
f (MHz)
x
Zi
(
)
ri
i
Fig.11 Load impedance (series components) as a
function of frequency, typical values.
Class-B operation; V
CE
= 12.5 V; P
L
= 30 W.
handbook, halfpage
MRA380
0
1
2
3
-1
-2
100
150
200
250
(
)
f (MHz)
RL
XL
Fig.12 Definition of transistor impedance.
handbook, halfpage
MBA451
Zi
ZL
Fig.13 Power gain as a function of frequency,
typical values.
Class-B operation; V
CE
= 12.5 V; P
L
= 30 W.
handbook, halfpage
(dB)
MRA377
0
100
5
10
15
150
200
250
f (MHz)
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