參數(shù)資料
型號： BLW30
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： VHF power transistor
中文描述： VHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
封裝： CERAMIC, SOT-120A, 4 PIN
文件頁數(shù)： 6/11頁
文件大?。?/td> 72K
代理商： BLW30
September 1991
6
Philips Semiconductors
Product specification
VHF power transistor
BLW30
APPLICATION INFORMATION
RF performance at T
mb
= 25
°
C in a common emitter test circuit.
MODE OF OPERATION
f
(MHz)
V
CE
(V)
P
L
(W)
G
P
(dB)
η
C
(%)
c.w. class-B
175
12.5
30
>
10
typ. 11
>
55
typ. 60
Fig.6
Gain and efficiency as functions of load
power, typical values.
Class-B operation; V
CE
= 12.5 V; f = 175 MHz.
handbook, halfpage
GP
(dB)
MRA376
0
4
8
12
0
20
40
60
80
10
20
30
40
(%)
η
GP
η
(W)
PL
Ruggedness in class-B operation
The BLW30 is capable of withstanding a full load mismatch
corresponding to VSWR = 50:1 through all phases at rated
output power, up to a supply voltage of 15.5 V, and f =
175 MHz.
Fig.7
Load power as a function of drive power,
typical values.
Class-B operation; V
CE
= 12.5 V; f = 175 MHz.
handbook, halfpage
MRA381
0
10
20
30
40
0
1
2
3
4
5
6
(W)
PN(W)
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