參數(shù)資料
型號(hào)： BLF4G20LS-110B
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： UHF power LDMOS transistor
中文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： CERAMIC, LDMOST, 2 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 7/12頁(yè)
文件大?。?/td> 108K
代理商： BLF4G20LS-110B
9397 750 14548
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2006. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 10 January 2006
7 of 12
Philips Semiconductors
BLF4G20LS-110B
UHF power LDMOS transistor
[1]
American Technical Ceramics type 100B or capacitor of same quality.
Table 8:
Component Description
C1
List of components (see
Figure 10
).
Value
Dimensions Catalogue number
multilayer ceramic chip
capacitor
multilayer ceramic chip
capacitor
tantalum capacitor
multilayer ceramic chip
capacitor
multilayer ceramic chip
capacitor
multilayer ceramic chip
capacitor
multilayer ceramic chip
capacitor
Philips electrolytic
capacitor
Philips chip resistor
hand made wire
[1]
0.1 pF
C2, C4, C8
[1]
11 pF
C3, C10
C5
10
μ
F
[1]
0.5 pF
C6
[1]
8.2 pF
C7
[1]
0.2 pF
C9
1
μ
F
1812X7R105KL2AB
C11
220
μ
F; 35 V
R1
W1
5.6
0603
5 mm
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PDF描述
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參數(shù)描述
BLF4G20LS-110B,112 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 LDMOS TNS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
BLF4G20LS-130 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 LDMOS TNS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
BLF4G20LS-130,112 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 LDMOS TNS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
BLF4G20S-110 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET Transistor, N-Channel, SOT-502B
BLF4G20S-110B 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 LDMOS TNS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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