參數(shù)資料
型號(hào)： BLF4G20LS-110B
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： UHF power LDMOS transistor
中文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： CERAMIC, LDMOST, 2 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 6/12頁(yè)
文件大?。?/td> 108K
代理商： BLF4G20LS-110B
9397 750 14548
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2006. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 10 January 2006
6 of 12
Philips Semiconductors
BLF4G20LS-110B
UHF power LDMOS transistor
8.
Test information
See
Table 8
for list of components.
Fig 9.
Test circuit for operation at 1990 MHz
The striplines are on a double copper-clad Taconic RF35 Printed-Circuit Board (PCB) with
ε
r
= 3.5 and thickness = 0.76 mm.
See
Table 8
for list of components.
Fig 10. Component layout for 1990 MHz test circuit
001aad664
output
50
input
50
C5
C7
C11
C1
C2
C6
C3
C4
C8
C9
C10
R1
V
DD
+
V
G
001aac395
C3
R1
C4
C2
C1
12.0 mm
BLF4G20
110B Input
PCS
Rev 2
BLF4G20
110B Output
PCS
Rev 2
C11
C6
C5
C7
V
DD
C9
W1
C10
C8
12.5 mm
17.6 mm
15.2 mm
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PDF描述
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參數(shù)描述
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BLF4G20LS-130 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 LDMOS TNS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
BLF4G20LS-130,112 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 LDMOS TNS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
BLF4G20S-110 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET Transistor, N-Channel, SOT-502B
BLF4G20S-110B 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 LDMOS TNS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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