參數(shù)資料
型號： BLF4G10S-120
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： UHF power LDMOS transistor
中文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： CERAMIC, LDMOST, 2 PIN
文件頁數(shù)： 11/14頁
文件大小： 112K
代理商： BLF4G10S-120
9397 750 14549
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2006. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 10 January 2006
11 of 14
Philips Semiconductors
BLF4G10-120; BLF4G10S-120
UHF power LDMOS transistor
10. Abbreviations
Table 9:
Acronym
ACPR
CDMA
CW
EDGE
ESR
EVM
GSM
I
Dq
LDMOS
PEP
RF
SMD
VSWR
Abbreviations
Description
Adjacent Channel Power Ratio
Code Division Multiple Access
Continuous Wave
Enhanced Data rates for GSM Evolution
Equivalent Series Resistance
Error Vector Magnitude
Global System for Mobile communications
quiescent drain current
Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor
Peak Envelope Power
Radio Frequency
Surface-Mount Device
Voltage Standing-Wave Ratio
相關PDF資料
PDF描述
BLF4G10LS-120 UHF power LDMOS transistor
BLF4G20LS-110B UHF power LDMOS transistor
BLF522 UHF power MOS transistor
BLF543 UHF power MOS transistor
BLF544B UHF push-pull power MOS transistor
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
BLF4G20-110 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET Transistor, N-Channel, SOT-502A
BLF4G20-110B 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 LDMOS TNS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
BLF4G20-110B,112 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 LDMOS TNS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
BLF4G20LS-110B 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 LDMOS TNS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
BLF4G20LS-110B,112 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 LDMOS TNS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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