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參數(shù)資料
| 型號： | BLF4G10S-120 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | UHF power LDMOS transistor |
| 中文描述： | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封裝： | CERAMIC, LDMOST, 2 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 10/14頁 |
| 文件大?。?/td> | 112K |
| 代理商： | BLF4G10S-120 |
9397 750 14549
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2006. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 10 January 2006
10 of 14
Philips Semiconductors
BLF4G10-120; BLF4G10S-120
UHF power LDMOS transistor
Fig 12. Package outline SOT502B
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
JEITA
SOT502B
99-12-28
03-01-10
0
5
10 mm
scale
Earless flanged LDMOST ceramic package; 2 leads
SOT502B
A
F
b
D
U2
L
H
Q
c
1
3
2
D1
E
D
U1
D
E1
M
M
w2
UNIT
A
mm
D
b
12.83
12.57
0.15
0.08
20.02
19.61
9.53
9.25
19.94
18.92
9.91
9.65
4.72
3.43
c
U2
0.25
w2
F
1.14
0.89
U1
20.70
20.45
L
5.33
4.32
Q
1.70
1.45
E
E1
9.50
9.30
inches
0.505
0.495
0.006
0.003
0.788
0.772
D1
19.96
19.66
0.786
0.774
0.375
0.364
0.785
0.745
0.390
0.380
0.186
0.135
0.010
0.045
0.035
0.815
0.805
0.210
0.170
0.067
0.057
0.374
0.366
H
DIMENSIONS (millimetre dimensions are derived from the original inch dimensions)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BLF4G10LS-120 | UHF power LDMOS transistor |
| BLF4G20LS-110B | UHF power LDMOS transistor |
| BLF522 | UHF power MOS transistor |
| BLF543 | UHF power MOS transistor |
| BLF544B | UHF push-pull power MOS transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BLF4G20-110 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET Transistor, N-Channel, SOT-502A |
| BLF4G20-110B | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 LDMOS TNS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| BLF4G20-110B,112 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 LDMOS TNS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| BLF4G20LS-110B | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 LDMOS TNS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| BLF4G20LS-110B,112 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 LDMOS TNS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
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