參數(shù)資料
型號(hào)： BLF4G10-120
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： UHF power LDMOS transistor
中文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： CERAMIC, LDMOST, 2 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 9/14頁(yè)
文件大小： 112K
代理商： BLF4G10-120
9397 750 14549
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2006. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 10 January 2006
9 of 14
Philips Semiconductors
BLF4G10-120; BLF4G10S-120
UHF power LDMOS transistor
9.
Package outline
Fig 11. Package outline SOT502A
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
JEITA
SOT502A
99-12-28
03-01-10
0
5
10 mm
scale
Flanged LDMOST ceramic package; 2 mounting holes; 2 leads
SOT502A
p
L
A
F
b
D
U2
H
Q
c
1
3
2
D1
E
A
C
q
U1
C
B
E1
M
M
w2
UNIT
A
mm
D
b
12.83
12.57
0.15
0.08
20.02
19.61
9.53
9.25
19.94
18.92
9.91
9.65
4.72
3.43
c
U2
0.25
0.51
27.94
q
w2
w1
F
1.14
0.89
U1
34.16
33.91
L
5.33
4.32
p
3.38
3.12
Q
1.70
1.45
E
E1
9.50
9.30
inches
0.505
0.495
0.006
0.003
0.788
0.772
D1
19.96
19.66
0.786
0.774
0.375
0.364
0.785
0.745
0.390
0.380
0.186
0.135
0.01
0.02
1.100
0.045
0.035
1.345
1.335
0.210
0.170
0.133
0.123
0.067
0.057
0.374
0.366
H
DIMENSIONS (millimetre dimensions are derived from the original inch dimensions)
w1
A
B
M
M
M
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BLF4G10S-120 UHF power LDMOS transistor
BLF4G10LS-120 UHF power LDMOS transistor
BLF4G20LS-110B UHF power LDMOS transistor
BLF522 UHF power MOS transistor
BLF543 UHF power MOS transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BLF4G10-160 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 LDMOS TNS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
BLF4G10-160,112 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 LDMOS TNS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
BLF4G10LS-120 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 LDMOS TNS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
BLF4G10LS-120,112 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 LDMOS TNS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
BLF4G10LS-160 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 LDMOS TNS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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