參數(shù)資料
型號(hào)： BLF4G10-120
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： UHF power LDMOS transistor
中文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： CERAMIC, LDMOST, 2 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/14頁(yè)
文件大?。?/td> 112K
代理商： BLF4G10-120
9397 750 14549
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2006. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 10 January 2006
2 of 14
Philips Semiconductors
BLF4G10-120; BLF4G10S-120
UHF power LDMOS transistor
1.3 Applications
I
RF power amplifiers for GSM, GSM EDGE and CDMA base stations and multicarrier
applications in the 800 MHz to 1000 MHz frequency range.
2.
Pinning information
[1]
Connected to flange
3.
Ordering information
4.
Limiting values
Table 2:
Pin
BLF4G10-120 (SOT502A)
1
2
3
Pinning
Description
Simplified outline
Symbol
drain
gate
source
[1]
BLF4G10S-120 (SOT502B)
1
2
3
drain
gate
source
[1]
3
2
1
1
3
2
sym039
3
2
1
1
3
2
sym039
Table 3:
Type number
Ordering information
Package
Name
-
Description
flanged LDMOST ceramic package; 2 mounting
holes; 2 leads
earless flanged LDMOST ceramic package; 2 leads
Version
SOT502A
BLF4G10-120
BLF4G10S-120
-
SOT502B
Table 4:
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
Parameter
V
DS
drain-source voltage
V
GS
gate-source voltage
I
D
drain current
T
stg
storage temperature
T
j
junction temperature
Limiting values
Conditions
Min
-
0.5
-
65
-
Max
65
+15
12
+150
200
Unit
V
V
A
°
C
°
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BLF4G10S-120 UHF power LDMOS transistor
BLF4G10LS-120 UHF power LDMOS transistor
BLF4G20LS-110B UHF power LDMOS transistor
BLF522 UHF power MOS transistor
BLF543 UHF power MOS transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BLF4G10-160 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 LDMOS TNS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
BLF4G10-160,112 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 LDMOS TNS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
BLF4G10LS-120 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 LDMOS TNS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
BLF4G10LS-120,112 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 LDMOS TNS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
BLF4G10LS-160 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 LDMOS TNS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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