參數(shù)資料
型號： BLF4G10-120
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： UHF power LDMOS transistor
中文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： CERAMIC, LDMOST, 2 PIN
文件頁數(shù)： 5/14頁
文件大小： 112K
代理商： BLF4G10-120
9397 750 14549
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2006. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 10 January 2006
5 of 14
Philips Semiconductors
BLF4G10-120; BLF4G10S-120
UHF power LDMOS transistor
V
DS
= 28 V; I
Dq
= 850 mA; T
case
= 25
°
C;
f = 960 MHz
V
DS
= 28 V; I
Dq
= 850 mA; T
case
= 25
°
C;
f = 960 MHz
Fig 5.
GSM EDGE power gain and drain efficiency as
functions of average load power; typical values
Fig 6.
GSM EDGE ACPR at 400 kHz and at 600 kHz as
functions of average load power; typical values
V
DS
= 28 V; I
Dq
= 850 mA; T
case
= 25
°
C;
f = 960 MHz
V
DS
= 28 V; I
Dq
= 850 mA; T
case
= 25
°
C;
f = 960 MHz
Fig 7.
GSM EDGE rms EVM as a function of average
load power; typical values
Fig 8.
GSM EDGE ACPR at 400 kHz and rms EVM as
functions of drain efficiency; typical values
P
L(AV)
(W)
0
80
60
20
40
001aac404
18
19
40
20
G
p
(dB)
η
D
(%)
17
60
20
0
G
p
η
D
P
L(AV)
(W)
0
80
60
20
40
001aac405
75
65
55
ACPR
(dBc)
85
ACPR
400
ACPR
600
P
L(AV)
(W)
0
80
60
20
40
001aac406
2
1
3
4
EVM
rms
(%)
0
001aac407
η
D
(%)
0
60
40
20
61
63
59
3
57
ACPR
(dBc)
EVM
(%)
65
4
2
1
0
ACPR
400
EVM
rms
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BLF4G10S-120 UHF power LDMOS transistor
BLF4G10LS-120 UHF power LDMOS transistor
BLF4G20LS-110B UHF power LDMOS transistor
BLF522 UHF power MOS transistor
BLF543 UHF power MOS transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BLF4G10-160 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 LDMOS TNS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
BLF4G10-160,112 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 LDMOS TNS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
BLF4G10LS-120 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 LDMOS TNS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
BLF4G10LS-120,112 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 LDMOS TNS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
BLF4G10LS-160 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 LDMOS TNS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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