參數(shù)資料
型號： BLF4G10-120
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： UHF power LDMOS transistor
中文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： CERAMIC, LDMOST, 2 PIN
文件頁數(shù)： 4/14頁
文件大小： 112K
代理商： BLF4G10-120
9397 750 14549
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2006. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 10 January 2006
4 of 14
Philips Semiconductors
BLF4G10-120; BLF4G10S-120
UHF power LDMOS transistor
V
DS
= 28 V; I
Dq
= 850 mA; T
case
= 25
°
C;
f = 960 MHz
V
DS
= 28 V; I
Dq
= 850 mA; T
case
= 25
°
C;
f = 960 MHz
Fig 1.
One-tone CW power gain and drain efficiency
as functions of load power; typical values
Fig 2.
Two-tone CW power gain and drain efficiency
as functions of peak envelope load power;
typical values
V
DS
= 28 V; I
Dq
= 850 mA; T
case
= 25
°
C;
f = 960 MHz
V
DS
= 28 V; T
case
= 25
°
C; f = 960 MHz
(1) I
Dq
= 650 mA
(2) I
Dq
= 750 mA
(3) I
Dq
= 850 mA
(4) I
Dq
= 950 mA
Fig 4.
Third order intermodulation distortion as a
function of peak envelope load power; typical
values
Fig 3.
Intermodulation distortion as a function of peak
envelope load power; typical values
P
L
(W)
0
200
150
50
100
001aac400
18.5
40
17.5
19.5
20.5
G
p
(dB)
16.5
G
p
η
D
(%)
η
D
20
0
60
80
P
L(PEP)
(W)
0
300
200
100
001aac401
18
19
20
60
G
p
(dB)
17
40
20
0
G
p
η
D
(%)
η
D
001aac402
P
L(PEP)
(W)
0
300
200
100
40
60
20
0
IMD3
IMD5
IMD7
IMD
(dBc)
80
001aac403
P
L(PEP)
(W)
0
300
200
100
40
60
20
0
IMD3
(dBc)
80
2
1
4
3
相關PDF資料
PDF描述
BLF4G10S-120 UHF power LDMOS transistor
BLF4G10LS-120 UHF power LDMOS transistor
BLF4G20LS-110B UHF power LDMOS transistor
BLF522 UHF power MOS transistor
BLF543 UHF power MOS transistor
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
BLF4G10-160 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 LDMOS TNS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
BLF4G10-160,112 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 LDMOS TNS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
BLF4G10LS-120 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 LDMOS TNS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
BLF4G10LS-120,112 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 LDMOS TNS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
BLF4G10LS-160 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 LDMOS TNS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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