參數(shù)資料
型號： BGF1901-10
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 衰減器
英文描述： GSM1900 EDGE power module
中文描述： 1930 MHz - 1990 MHz RF/MICROWAVE NARROW BAND HIGH POWER AMPLIFIER
封裝： PLASTIC, SOT-365C, FM-3
文件頁數(shù)： 7/11頁
文件大?。?/td> 99K
代理商： BGF1901-10
2004 Oct 11
7
Philips Semiconductors
Product specification
GSM1900 EDGE power module
BGF1901-10
APPLICATION INFORMATION
handbook, halfpage
TEMPERATURE
COMPENSATED
GATE BIAS
C1
C3
C5
R1
L1
C2
C4
+
VS
50
output
50
input
MBL781
Z1
Z2
Fig.10 Test circuit.
List of components (see Figs
10
and
11
)
Note
1.
The striplines are on a double copper-clad printed-circuit board (RO5880) with
ε
r
= 2.2 and thickness = 0.79 mm.
COMPONENT
DESCRIPTION
VALUE
CATALOGUE
NUMBER
C1, C3
C2, C5
C4
L1
R1
Z
1
, Z
2
multilayer X7R ceramic chip capacitor
tantalum SMD capacitor
electrolytic capacitor
grade 4S2 Ferroxcube bead
metal film resistor
stripline; note 1
100 nF; 50 V
10
μ
F; 35 V
100
μ
F; 35 V
4330 030 36300
2322 195 13109
10
; 0.4 W
50
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