參數(shù)資料
型號： BGF1901-10
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 衰減器
英文描述： GSM1900 EDGE power module
中文描述： 1930 MHz - 1990 MHz RF/MICROWAVE NARROW BAND HIGH POWER AMPLIFIER
封裝： PLASTIC, SOT-365C, FM-3
文件頁數(shù)： 4/11頁
文件大小： 99K
代理商： BGF1901-10
2004 Oct 11
4
Philips Semiconductors
Product specification
GSM1900 EDGE power module
BGF1901-10
handbook, halfpage
0
PL (AV) (W)
26
25
24
2
4
8
6
MLE249
Gp
(dB)
η
(%)
Gp
η
30
10
20
0
Fig.2
GSM EDGE power gain and efficiency as
functions of load power; typical values.
f = 1960 MHz.
handbook, halfpage
0
2
PL (AV) (W)
ACPR
(dBc)
4
8
62
66
68
64
6
MLE250
Fig.3
GSM EDGE ACPR at 400 kHz as a function
of load power; typical values.
f = 1960 MHz.
handbook, halfpage
EVMrms
(%)
0
2
PL (AV) (W)
4
8
0
2
6
1.5
1
0.5
MLE251
Fig.4
GSM EDGE rms EVM as a function of
average load power; typical values.
f = 1960 MHz.
handbook, halfpage
0
2
PL (AV) (W)
EVMM
(%)
4
8
6
2
0
4
6
MLE252
Fig.5
GSM EDGE peak EVM as function of
average load power; typical values.
f = 1960 MHz.
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